收藏本站
型号 IPB16CN10N G
厂商 Infineon Technologies
描述 MOSFET N-CH 100V 53A TO263-3
IPB16CN10N G PDF
代理商 IPB16CN10N G
标准包装 1,000
系列 OptiMOS™
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 标准
漏极至源极电压(Vdss) 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 53A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 16.5 毫欧 @ 53A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 4V @ 61µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 48nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 3220pF @ 50V
功率 - 最大 100W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装 PG-TO263-2
包装 带卷 (TR)
其它名称 SP000096452
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
同类型PDF
IPB180N03S4L-01 Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7-3
IPB180N03S4L-H0 Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7-3
IPB180N04S3-02 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
IPB180N04S3-02 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
IPB180N04S3-02 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
IPB180N04S4-00 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3
IPB180N04S4-01 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3
IPB180N04S4-H0 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3
IPB180N06S4-H1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
IPB200N15N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 150V 50A TO263-3
IPB200N15N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 150V 50A TO263-3
IPB200N15N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 150V 50A TO263-3
IPB200N25N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 250V 64A TO263-3
IPB200N25N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 250V 64A TO263-3
IPB200N25N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 250V 64A TO263-3
IPB22N03S4L-15 Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 22A TO263-3
IPB22N03S4L-15 Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 22A TO263-3
IPB22N03S4L-15 Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 22A TO263-3
IPB230N06L3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 30A TO263-3
IPB230N06L3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 30A TO263-3